深圳市言信微科技有限公司

       SIR626DP-T1-RE3是Vishay（威世）公司生产的一款N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），该产品具有高性能和广泛的应用领域。以下是对该产品的详细介绍。

一、基本参数

• 漏源电压（Vdss）：60V
• 连续漏极电流（Id）：在25°C时，zui大可达100A（Tc）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)@Id）：3.4V @ 250uA
• 漏源导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）：1.7mΩ @ 20A, 10V
• zui大功率耗散（Pd）：在Ta=25°C时，zui大可达104W（Tc）

二、封装与外形

• 封装类型：PowerPAK SO-8
• 安装方式：表面贴装（Surface Mount）
• 外形尺寸：符合SO-8标准封装尺寸

三、特性与优势

• 低RDS(on)：低导通电阻有助于减少能量损耗，提高系统效率。
• 高电流处理能力：适合需要大电流处理的应用场景。
• 宽工作温度范围：从-55℃到+150℃（Tj），适用于各种环境条件。
• TrenchFET  Gen IV技术：采用先进的TrenchFET技术，提供卓越的性能和可靠性。

四、应用领域

SIR626DP-T1-RE3因其高性能和可靠性，广泛应用于以下领域：

• 同步整流：在电源转换中提高效率。
• 初级侧开关：在DC/DC转换器中作为关键开关元件。
• DC/DC转换器：提供高效的电压转换功能。
• 太阳能微型逆变器：在太阳能发电系统中实现DC到AC的转换。
• 电机驱动开关：在电机控制系统中提供jing确的开关控制。
• 电池和负载开关：在电池管理系统和负载控制中起关键作用。
• 工业应用：包括但不限于工业自动化、机器人技术等。

五、总结

SIR626DP-T1-RE3是Vishay（威世）公司推出的一款高性能N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高电流处理能力和宽工作温度范围等优点。它广泛应用于各种电力电子设备和系统中，为设备的高效运行提供有力支持。

         深圳市言信微科技有限公司（深圳市合众力特科技有限公司）成立于2009年5月,

         主营ONSEMI , VISHAY , NXP , INFINEON , ST ,DIODES , TI 等进口品牌现货分销及原厂订货业务，服务应用于消费类电子，汽车电子，影音视频产品，电脑及其周边，通讯和工控，物联网及人工智能，新能源领域等；是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司。

   公司业务为电源管理，功率器件以及MCU等产品分销,主营ONSEMI,VISHAY,NXP,ST,INFINEON,DIODES,ADI以及TI等进口品牌, 经营车规系列MOSFET,LDO与LOGIC，比较器以及稳压器件等,AC-DC/DC-DC电源管理,高/中/低压全封装类型MOSFET,HV驱动及SR同步整流IC,FRD/IGBT单管,MCU,ESD/TVS管，功率电感等;是众多的OEM/ODM电子厂商理想的元器件通路商和方案合作公司；授权代理西安鼎芯微电子电源管理IC及台湾竹懋桥堆，整流桥等相关系列产品。